ซื้อ A2I20H060NR1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
A2I20H060NR1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- A2I20H060NR1
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- IC TRANS RF LDMOS
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 15169 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- A2I20H060NR1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ A2I20H060NR1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา A2I20H060NR1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS (Dual) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-270WB-15 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 12W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-270-15 Variant, Flat Leads |
| ชื่ออื่น: | 935318716528 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | A2I20H060NR1 |
| ได้รับ: | 28.9dB |
| ความถี่: | 1.84GHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 24mA 1.84GHz 28.9dB 12W TO-270WB-15 |
| ลักษณะ: | IC TRANS RF LDMOS |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 24mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ A2I20H060NR1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF9180R6 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-1230 | การสอบสวน |
 |
A2I20H060GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | การสอบสวน |
 |
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | การสอบสวน |
|
A2I08H040GNR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | การสอบสวน |
 |
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | การสอบสวน |
|
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | การสอบสวน |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | การสอบสวน |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | การสอบสวน |
|
PTFA092213ELV4R250XTMA2 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | การสอบสวน |
|
MRF9060LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | การสอบสวน |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers