MRF6V13250HSR5 - NXP USA Inc. - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF MRF6V13250HSR5

MRF6V13250HSR5

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MRF6V13250HSR5

ผู้ผลิต:: NXP Semiconductors / Freescale

ลักษณะ:: FET RF 120V 1.3GHZ NI780S

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 15546 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MRF6V13250HSR5.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MRF6V13250HSR5 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MRF6V13250HSR5 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MRF6V13250HSR5 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	50V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	120V
ประเภททรานซิสเตอร์:	LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	NI-780S
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	250W
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	NI-780S
ชื่ออื่น:	935323152178
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MRF6V13250HSR5
ได้รับ:	22.7dB
ความถี่:	1.3GHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 22.7dB 250W NI-780S
ลักษณะ:	FET RF 120V 1.3GHZ NI780S
พิกัดกระแส:	-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	100mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MRF6V13250HSR5

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
MRF6V13250HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 120V 1.3GHZ NI780S	การสอบสวน
MRF6V13250HR3	NXP USA Inc.	FET RF 120V 1.3GHZ NI-780	การสอบสวน
MRF6V12500HR5	NXP USA Inc.	FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H	การสอบสวน
MRF6V12500HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H	การสอบสวน
MRF6V13250HR5	NXP USA Inc.	FET RF 120V 1.3GHZ NI780	การสอบสวน
MRF6V10250HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.09GHZ NI780S	การสอบสวน
MRF6V12250HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S	การสอบสวน
MRF6V12250HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S	การสอบสวน
MRF6V12250HR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest