ซื้อ A2I08H040GNR1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
A2I08H040GNR1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- A2I08H040GNR1
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- IC RF LDMOS AMP
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 18222 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- A2I08H040GNR1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ A2I08H040GNR1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา A2I08H040GNR1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS (Dual) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-270WBG-15 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 9W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| ชื่ออื่น: | 935320823528 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | A2I08H040GNR1 |
| ได้รับ: | 30.7dB |
| ความถี่: | 920MHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| ลักษณะ: | IC RF LDMOS AMP |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ A2I08H040GNR1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | การสอบสวน |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | การสอบสวน |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | การสอบสวน |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | การสอบสวน |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | การสอบสวน |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | การสอบสวน |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | การสอบสวน |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | การสอบสวน |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | การสอบสวน |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | การสอบสวน |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog