ซื้อ NE3514S02-T1C-A กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
NE3514S02-T1C-A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NE3514S02-T1C-A
- ลักษณะ:
- HJ-FET NCH 10DB S02
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 14666 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- 1.NE3514S02-T1C-A.pdf2.NE3514S02-T1C-A.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE3514S02-T1C-A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE3514S02-T1C-A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 2V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 4V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | HFET |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | S02 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, Flat Leads |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | 0.75dB |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NE3514S02-T1C-A |
| ได้รับ: | 10dB |
| ความถี่: | 20GHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 10dB S02 |
| ลักษณะ: | HJ-FET NCH 10DB S02 |
| พิกัดกระแส: | 70mA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE3514S02-T1C-A
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | การสอบสวน |
|
NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | การสอบสวน |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | การสอบสวน |
 |
NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | การสอบสวน |
 |
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | การสอบสวน |
|
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | การสอบสวน |
|
NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | การสอบสวน |
|
NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | การสอบสวน |
|
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | การสอบสวน |
|
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | การสอบสวน |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | การสอบสวน |
|
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | การสอบสวน |
|
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | การสอบสวน |
|
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | การสอบสวน |
|
NE3510M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | การสอบสวน |
 |
3SK291(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH SMQ | การสอบสวน |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog