ซื้อ PD20015-E กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
PD20015-E
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PD20015-E
- ผู้ผลิต:
- ST
- ลักษณะ:
- TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 18928 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- PD20015-E.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ PD20015-E เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา PD20015-E ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 13.6V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 40V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 15W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| ชื่ออื่น: | 497-8802-5 PD20015-E-ND PD20015E |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | PD20015-E |
| ได้รับ: | 11dB |
| ความถี่: | 2GHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| ลักษณะ: | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF |
| พิกัดกระแส: | 7A |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PD20015-E
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MRFG35010NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD | การสอบสวน |
 |
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | การสอบสวน |
 |
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | การสอบสวน |
|
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | การสอบสวน |
 |
PTFB183404FV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37275-6 | การสอบสวน |
 |
MRF8HP21080HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4 | การสอบสวน |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | การสอบสวน |
 |
VMMK-1225-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 5V 12GHZ 0402 | การสอบสวน |
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | การสอบสวน |
 |
BLF6G20LS-110,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | การสอบสวน |
|
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | การสอบสวน |
 |
ARF476FL | Microsemi Corporation | RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog