ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > PD20010STR-E
PD20010STR-E
PD20010STR-E
รุ่นผลิตภัณฑ์:
PD20010STR-E
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15503 Pieces
แผ่นข้อมูล:
PD20010STR-E.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ PD20010STR-E เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา PD20010STR-E ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PD20010STR-E กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:13.6V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:40V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerSO-10RF (Straight Lead)
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:10W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
ชื่ออื่น:497-10095-2
PD20010STR-E-ND
PD20010STRE
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:11 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:PD20010STR-E
ได้รับ:11dB
ความถี่:2GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead)
ลักษณะ:TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
พิกัดกระแส:5A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:150mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PD20010STR-E

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
PD20010S-E Image PD20010S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF การสอบสวน
PD20010TR-E Image PD20010TR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM การสอบสวน
PD20015S-E Image PD20015S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF การสอบสวน
PD20010-E Image PD20010-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF การสอบสวน
BLC8G27LS-160AVHY Image BLC8G27LS-160AVHY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 28V 14.5DB SOT12751 การสอบสวน
PD20015C Image PD20015C STMicroelectronics FET RF 40V 2GHZ M243 การสอบสวน
PD20015-E Image PD20015-E STMicroelectronics TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF การสอบสวน
CGH60060D Image CGH60060D Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V DIE การสอบสวน
MRFG35005MR5 Image MRFG35005MR5 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD การสอบสวน
MRF6P3300HR3 NXP USA Inc. FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 การสอบสวน
PD55003STR-E Image PD55003STR-E STMicroelectronics FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 การสอบสวน

ข่าว Latest