PD20015C - STMicroelectronics - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF PD20015C - BYCHIPS

PD20015C

รุ่นผลิตภัณฑ์:: PD20015C

ผู้ผลิต:: ST

ลักษณะ:: FET RF 40V 2GHZ M243

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 18344 Pieces

แผ่นข้อมูล:: PD20015C.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ PD20015C เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา PD20015C ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ PD20015C กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	13.6V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	40V
ประเภททรานซิสเตอร์:	LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	M243
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	15W
บรรจุภัณฑ์:	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	M243
ชื่ออื่น:	497-12509 PD20015C-ND
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	PD20015C
ได้รับ:	11dB
ความถี่:	2GHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W M243
ลักษณะ:	FET RF 40V 2GHZ M243
พิกัดกระแส:	7A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	350mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PD20015C

ภาพ	รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
	PD20010STR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR	การสอบสวน
	PD55008-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO10	การสอบสวน
	PD20010-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	การสอบสวน
	PD20015-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF	การสอบสวน
	PTFA261702E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4	การสอบสวน
	MRF1K50HR5	NXP USA Inc.	HIGH POWER RF TRANSISTOR	การสอบสวน
	PD20015S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	การสอบสวน
	PD84006-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF	การสอบสวน
	PD20010S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	การสอบสวน
	UF28150J	M/A-Com Technology Solutions	MOSFET 150W 28V 100-500MHZ	การสอบสวน
	RFM08U9X(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH PW-X	การสอบสวน
	PD20010TR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM	การสอบสวน

ข่าว Latest