ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > NE25139-T1
NE25139-T1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NE25139-T1
ผู้ผลิต:
CEL (California Eastern Laboratories)
ลักษณะ:
FET RF 13V 900MHZ SOT-143
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14718 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NE25139-T1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE25139-T1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE25139-T1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NE25139-T1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:5V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:13V
ประเภททรานซิสเตอร์:MESFET Dual Gate
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-143
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-253-4, TO-253AA
ชื่ออื่น:3SK177
NE25139-T1TR
NE25139-TR
NE25139TR
เสียงรบกวนเต็มตัว:1.1dB
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NE25139-T1
ได้รับ:20dB
ความถี่:900MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet MESFET Dual Gate 5V 10mA 900MHz 20dB SOT-143
ลักษณะ:FET RF 13V 900MHZ SOT-143
พิกัดกระแส:40mA
ปัจจุบัน - การทดสอบ:10mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE25139-T1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
2SK4037(TE12L,Q) Image 2SK4037(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH PW-X การสอบสวน
2SK3075(TE12L,Q) Image 2SK3075(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSF RF N CH 30V 5A PW-X การสอบสวน
PTFA091201EV4R0XTMA1 Infineon Technologies RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 การสอบสวน
NPT2019 Image NPT2019 M/A-Com Technology Solutions FET RF 160V 6GHZ 14DFN การสอบสวน
MHT1001HR5 Image MHT1001HR5 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ การสอบสวน
NE25139-T1-U73 CEL FET RF 13V 900MHZ SOT-143 การสอบสวน
IXZ318N50 Image IXZ318N50 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL การสอบสวน
BLC8G27LS-140AVY Image BLC8G27LS-140AVY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 การสอบสวน
PTFA142401ELV4XWSA1 Image PTFA142401ELV4XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 การสอบสวน
MRF6S9045NR1 Image MRF6S9045NR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 การสอบสวน
BLF8G24LS-200P,112 Image BLF8G24LS-200P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B การสอบสวน
ARF461CG Microsemi Corporation RF MOSFET N-CH 1000V TO247 การสอบสวน
NE5531079A-T1A-A Image NE5531079A-T1A-A CEL FET RF 30V 460MHZ 79A การสอบสวน
MHT1008NT1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ การสอบสวน

ข่าว Latest