NE5531079A-T1A-A - CEL - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF NE5531079A-T1A-A

NE5531079A-T1A-A

รุ่นผลิตภัณฑ์:: NE5531079A-T1A-A

ผู้ผลิต:: CEL (California Eastern Laboratories)

ลักษณะ:: FET RF 30V 460MHZ 79A

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 12271 Pieces

แผ่นข้อมูล:: NE5531079A-T1A-A.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE5531079A-T1A-A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE5531079A-T1A-A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ NE5531079A-T1A-A กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	7.5V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	30V
ประเภททรานซิสเตอร์:	LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	79A
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	40dBm
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	4-SMD, Flat Leads
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	NE5531079A-T1A-A
ได้รับ:	-
ความถี่:	460MHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 460MHz 40dBm 79A
ลักษณะ:	FET RF 30V 460MHZ 79A
พิกัดกระแส:	3A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	200mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE5531079A-T1A-A

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
ARF461CG	Microsemi Corporation	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	การสอบสวน
NE5531079A-A	CEL	FET RF 30V 460MHZ 79A	การสอบสวน
2SK3075(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSF RF N CH 30V 5A PW-X	การสอบสวน
MRF8P20165WHR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4	การสอบสวน
PTFA091201EV4R0XTMA1	Infineon Technologies	RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2	การสอบสวน
MRF5S9150HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ NI-780S	การสอบสวน
NE5531079A-T1-A	CEL	FET RF 30V 460MHZ 79A	การสอบสวน
NPT2019	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 160V 6GHZ 14DFN	การสอบสวน
PTFA142401ELV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2	การสอบสวน
2SK4037(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH PW-X	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest