2SK4037(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF 2SK4037(TE12L,Q)

2SK4037(TE12L,Q)

รุ่นผลิตภัณฑ์:: 2SK4037(TE12L,Q)

ผู้ผลิต:: Toshiba Semiconductor

ลักษณะ:: MOSFET N-CH PW-X

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 16486 Pieces

แผ่นข้อมูล:: 2SK4037(TE12L,Q).pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 2SK4037(TE12L,Q) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 2SK4037(TE12L,Q) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ 2SK4037(TE12L,Q) กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	6V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	12V
ประเภททรานซิสเตอร์:	N-Channel
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SC-70
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	36.5dBmW
บรรจุภัณฑ์:	Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SC-70, SOT-323
ชื่ออื่น:	2SK4037(TE12LQ)CT
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	2SK4037(TE12L,Q)
ได้รับ:	11.5dB
ความถี่:	470MHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet N-Channel 6V 250mA 470MHz 11.5dB 36.5dBmW SC-70
ลักษณะ:	MOSFET N-CH PW-X
พิกัดกระแส:	3A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	250mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2SK4037(TE12L,Q)

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
MRF5S9150HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ NI-780S	การสอบสวน
PD85035STR1-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	การสอบสวน
MRF8P20165WHR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4	การสอบสวน
2SK4021(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2	การสอบสวน
PTFA142401ELV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2	การสอบสวน
2SK4016(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS	การสอบสวน
2SK4017(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2	การสอบสวน
PTFB090901FAV2R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37265-2	การสอบสวน
PTFA091201EV4R0XTMA1	Infineon Technologies	RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest