IXTU08N100P
IXTU08N100P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTU08N100P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14794 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTU08N100P.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTU08N100P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTU08N100P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTU08N100P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:-
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-251
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTU08N100P
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) Through Hole TO-251
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V (1kV)
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:8A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ