ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXTU01N100D
IXTU01N100D
IXTU01N100D
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTU01N100D
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14130 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTU01N100D.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTU01N100D เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTU01N100D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTU01N100D กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 25µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-251
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:80 Ohm @ 50mA, 0V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.1W (Ta), 25W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTU01N100D
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:120pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:Depletion Mode
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V (1kV)
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:100mA (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTU01N100D

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXTU01N100 Image IXTU01N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK การสอบสวน
SPU08P06P Image SPU08P06P Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 การสอบสวน
SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC การสอบสวน
IXFN110N60P3 Image IXFN110N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 การสอบสวน
IXTU01N80 Image IXTU01N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 การสอบสวน
IXTU06N120P Image IXTU06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 การสอบสวน
IRF737LCPBF Image IRF737LCPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB การสอบสวน
IRFS4710PBF Image IRFS4710PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK การสอบสวน
IRFL110 Image IRFL110 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 การสอบสวน
IXTU08N100P Image IXTU08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 การสอบสวน
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 การสอบสวน
IXTU02N50D Image IXTU02N50D IXYS MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 การสอบสวน
DMP2035U-7 Image DMP2035U-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 การสอบสวน
IXTU05N100 Image IXTU05N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 การสอบสวน
IXTU05N120 Image IXTU05N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 การสอบสวน

ข่าว Latest