IXTU01N80
IXTU01N80
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTU01N80
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12147 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTU01N80.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTU01N80 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTU01N80 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTU01N80 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 25µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-251
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:50 Ohm @ 100mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):25W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTU01N80
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:60pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:8nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 800V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:100mA (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ