IXFH16N50P3
IXFH16N50P3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFH16N50P3
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16634 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFH16N50P3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFH16N50P3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFH16N50P3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFH16N50P3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247AD (IXFH)
ชุด:HiPerFET™, Polar3™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 8A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):330W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFH16N50P3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1515pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:29nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 500V 16A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):500V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:16A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ