ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXFH12N100
IXFH12N100
IXFH12N100
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFH12N100
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16086 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFH12N100.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFH12N100 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFH12N100 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFH12N100 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247AD (IXFH)
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 6A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):300W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFH12N100
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4000pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:155nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V (1kV)
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:12A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFH12N100

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXFH12N120 Image IXFH12N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N100Q Image IXFH12N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD การสอบสวน
IXFH120N15P Image IXFH120N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 120A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N90P Image IXFH12N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N100F Image IXFH12N100F IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD การสอบสวน
IXFH120N20P Image IXFH120N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 120A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N80P Image IXFH12N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N100P Image IXFH12N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD การสอบสวน
IXFH120N25T Image IXFH120N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 120A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N50F Image IXFH12N50F IXYS MOSFET N-CH 500V 12A TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest