ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXFH10N80P
IXFH10N80P
IXFH10N80P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFH10N80P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15348 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFH10N80P.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFH10N80P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFH10N80P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFH10N80P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5.5V @ 2.5mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247AD (IXFH)
ชุด:HiPerFET™, PolarHT™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.1 Ohm @ 5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):300W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFH10N80P
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2050pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:40nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 800V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:10A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFH10N80P

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD การสอบสวน
IXFH102N15T Image IXFH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 การสอบสวน
IXFH17N80Q Image IXFH17N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 การสอบสวน
IXFH100N25P Image IXFH100N25P IXYS MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 การสอบสวน
IXFH170N10P Image IXFH170N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 การสอบสวน
IXFH10N100 Image IXFH10N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD การสอบสวน
IXFH14N85X IXYS MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 การสอบสวน
IXFH160N15T2 Image IXFH160N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 การสอบสวน
IXFH10N100P Image IXFH10N100P IXYS MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD การสอบสวน
IXFH14N80P Image IXFH14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 การสอบสวน
IXFH150N15P Image IXFH150N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 การสอบสวน
IXFH160N15T Image IXFH160N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 การสอบสวน
IXFH10N90 Image IXFH10N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD การสอบสวน
IXFH16N50P Image IXFH16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 การสอบสวน
IXFH10N100Q Image IXFH10N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD การสอบสวน
IXFH14N60P Image IXFH14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N100 Image IXFH12N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD การสอบสวน
IXFH15N100 Image IXFH15N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 การสอบสวน
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest