IXFH10N100P
IXFH10N100P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFH10N100P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12194 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFH10N100P.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFH10N100P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFH10N100P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFH10N100P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:6.5V @ 1mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247AD (IXFH)
ชุด:HiPerFET™, PolarP2™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):380W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:Q4374359
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:6 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFH10N100P
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:3030pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:56nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V (1kV)
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:10A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ