ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > BLF4G22LS-130,112
BLF4G22LS-130,112
BLF4G22LS-130,112
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BLF4G22LS-130,112
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17095 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BLF4G22LS-130,112.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLF4G22LS-130,112 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLF4G22LS-130,112 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BLF4G22LS-130,112 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:65V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT502B
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:33W
บรรจุภัณฑ์:Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-502B
ชื่ออื่น:568-2416
934059192112
BLF4G22LS-130
BLF4G22LS-130-ND
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BLF4G22LS-130,112
ได้รับ:13.5dB
ความถี่:2.11GHz ~ 2.17GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 33W SOT502B
ลักษณะ:FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B
พิกัดกระแส:15A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:1.15A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLF4G22LS-130,112

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
2N3819_D27Z Image 2N3819_D27Z Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 25V 50MA TO92 การสอบสวน
BLF4G20S-110B,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B การสอบสวน
BLF4G20-110B,112 Image BLF4G20-110B,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A การสอบสวน
BLF4G22S-100,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B การสอบสวน
BLF4G20LS-130,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B การสอบสวน
BLF4G20LS-110B,112 Image BLF4G20LS-110B,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B การสอบสวน
BLF4G10-160,112 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A การสอบสวน
BLA1011S-200R,112 Image BLA1011S-200R,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B การสอบสวน
BLF6G20-75,112 Image BLF6G20-75,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A การสอบสวน
BLF4G10LS-160,112 Image BLF4G10LS-160,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B การสอบสวน
PTFA212001F1V4R250XTMA1 Image PTFA212001F1V4R250XTMA1 Infineon Technologies IC RF POWER TRANSISTOR การสอบสวน
BLF4G10LS-120,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 960MHZ SOT502B การสอบสวน
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 การสอบสวน
MMRF2007NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 940MHZ การสอบสวน

ข่าว Latest