ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > BLF4G20LS-130,112
BLF4G20LS-130,112
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BLF4G20LS-130,112
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12292 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BLF4G20LS-130,112.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLF4G20LS-130,112 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLF4G20LS-130,112 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BLF4G20LS-130,112 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:65V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT502B
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:130W
บรรจุภัณฑ์:Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-502B
ชื่ออื่น:568-2414
934058844112
BLF4G20LS-130
BLF4G20LS-130-ND
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BLF4G20LS-130,112
ได้รับ:14.6dB
ความถี่:1.93GHz ~ 1.99GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 14.6dB 130W SOT502B
ลักษณะ:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
พิกัดกระแส:15A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:900mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLF4G20LS-130,112

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BLF4G20S-110B,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B การสอบสวน
BLF4G10LS-120,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 960MHZ SOT502B การสอบสวน
BLF4G22LS-130,112 Image BLF4G22LS-130,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B การสอบสวน
BLF4G22S-100,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B การสอบสวน
BLF8G09LS-400PGWQ Image BLF8G09LS-400PGWQ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C การสอบสวน
BLF4G20-110B,112 Image BLF4G20-110B,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A การสอบสวน
MRF6S19100NBR1 Image MRF6S19100NBR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 การสอบสวน
BLF4G20LS-110B,112 Image BLF4G20LS-110B,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B การสอบสวน
BLF8G27LS-150GVJ Image BLF8G27LS-150GVJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C การสอบสวน
BLF4G10LS-160,112 Image BLF4G10LS-160,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B การสอบสวน
BLF4G10-160,112 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A การสอบสวน

ข่าว Latest