STW24N60DM2
STW24N60DM2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STW24N60DM2
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16650 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STW24N60DM2.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STW24N60DM2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STW24N60DM2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STW24N60DM2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±25V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247
ชุด:FDmesh™ II Plus
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 9A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):150W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:497-14582-5
STW24N60DM2-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:24 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STW24N60DM2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1055pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:29nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:18A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ