ซื้อ IRFH5106TR2PBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IRFH5106TR2PBF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IRFH5106TR2PBF
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 17360 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IRFH5106TR2PBF.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRFH5106TR2PBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRFH5106TR2PBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PQFN (5x6) |
| ชุด: | HEXFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 50A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerVDFN |
| ชื่ออื่น: | IRFH5106TR2PBFDKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRFH5106TR2PBF |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 3090pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 60V 21A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 21A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IRFH5106TR2PBF
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN | การสอบสวน |
 |
IRFH5110TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN | การสอบสวน |
|
IRFH5106TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN | การสอบสวน |
 |
IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 | การสอบสวน |
|
IRFH5210TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN | การสอบสวน |
 |
IRFH5104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 24A PQFN | การสอบสวน |
|
IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN | การสอบสวน |
|
IRFH5104TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 24A PQFN | การสอบสวน |
|
IRFH5004TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | การสอบสวน |
|
IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | การสอบสวน |
|
IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN | การสอบสวน |
|
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | การสอบสวน |
|
IRFH5207TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog