SPI11N65C3HKSA1
SPI11N65C3HKSA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SPI11N65C3HKSA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12257 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SPI11N65C3HKSA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPI11N65C3HKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPI11N65C3HKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SPI11N65C3HKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.9V @ 500µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO262-3-1
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 7A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):125W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
ชื่ออื่น:SP000014526
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SPI11N65C3HKSA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1200pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:60nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):650V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:11A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ