ซื้อ SPI11N60CFDHKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
SPI11N60CFDHKSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SPI11N60CFDHKSA1
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 12842 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- SPI11N60CFDHKSA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPI11N60CFDHKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPI11N60CFDHKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 500µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO262-3-1 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 440 mOhm @ 7A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 125W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| ชื่ออื่น: | SP000229994 SP000680990 SPI11N60CFD SPI11N60CFD-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SPI11N60CFDHKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1200pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SPI11N60CFDHKSA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60S5BKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | การสอบสวน |
 |
RJK0328DPB-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | การสอบสวน |
|
SPI11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | การสอบสวน |
 |
STF7N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 0.5 OHM TYP., 7 | การสอบสวน |
|
SPI11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | การสอบสวน |
|
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | การสอบสวน |
 |
IRF1405ZTRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | การสอบสวน |
 |
NTD5862NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 98A DPAK | การสอบสวน |
|
RJK0451DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK | การสอบสวน |
|
SPI11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | การสอบสวน |
 |
VS-FC220SA20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
BSS87E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers