ซื้อ SPD07N60S5 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
SPD07N60S5
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SPD07N60S5
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 14015 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- SPD07N60S5.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPD07N60S5 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPD07N60S5 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5.5V @ 350µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO252-3 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 83W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ชื่ออื่น: | SP000313948 SPD07N60S5INTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SPD07N60S5 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 970pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SPD07N60S5
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD07N60S5T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | การสอบสวน |
|
SPD07N60C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | การสอบสวน |
 |
IRF1405ZSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | การสอบสวน |
 |
IXFX78N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247 | การสอบสวน |
 |
STP11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A TO-220 | การสอบสวน |
 |
MTD2955VT4 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | การสอบสวน |
 |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | การสอบสวน |
|
SPD07N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | การสอบสวน |
 |
FDP26N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 26A TO-220 | การสอบสวน |
|
SPD07N20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 | การสอบสวน |
 |
FQAF9P25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P | การสอบสวน |
|
SPD07N20GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers