ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > SPD07N60C3BTMA1
SPD07N60C3BTMA1
SPD07N60C3BTMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SPD07N60C3BTMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13734 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SPD07N60C3BTMA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPD07N60C3BTMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPD07N60C3BTMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SPD07N60C3BTMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.9V @ 350µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO252-3
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 4.6A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):83W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:SP000077605
SP000313947
SPD07N60C3
SPD07N60C3INTR
SPD07N60C3INTR-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SPD07N60C3BTMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:790pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:27nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):650V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SPD07N60C3BTMA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
SPD07N60S5T Image SPD07N60S5T Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK การสอบสวน
SPD07N20GBTMA1 Image SPD07N20GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A TO252 การสอบสวน
SPD07N60S5 Image SPD07N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK การสอบสวน
IPB031N08N5ATMA1 Image IPB031N08N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V TO263-3 การสอบสวน
SPD07N20 Image SPD07N20 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 การสอบสวน
SPD07N60C3T Image SPD07N60C3T Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK การสอบสวน
SPD07N60C3ATMA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY การสอบสวน
APTM100SKM90G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 การสอบสวน
NIF9N05CLT1G Image NIF9N05CLT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 การสอบสวน
ZXMN2A14FTA Image ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 การสอบสวน

ข่าว Latest