RUE003N02TL
RUE003N02TL
รุ่นผลิตภัณฑ์:
RUE003N02TL
ผู้ผลิต:
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16429 Pieces
แผ่นข้อมูล:
RUE003N02TL.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ RUE003N02TL เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา RUE003N02TL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RUE003N02TL กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:EMT3
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 300mA, 4V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):150mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SC-75, SOT-416
ชื่ออื่น:RUE003N02TLTR
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:RUE003N02TL
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:25pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 20V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.8V, 4V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:300mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ