ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IPB90N06S4L04ATMA1
IPB90N06S4L04ATMA1
IPB90N06S4L04ATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB90N06S4L04ATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15434 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPB90N06S4L04ATMA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB90N06S4L04ATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB90N06S4L04ATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPB90N06S4L04ATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.2V @ 90µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-3-2
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 90A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):150W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:IPB90N06S4L-04
IPB90N06S4L-04-ND
SP000415574
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPB90N06S4L04ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:13000pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:170nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:90A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPB90N06S4L04ATMA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPB90R340C3ATMA1 Image IPB90R340C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 15A TO-263 การสอบสวน
IPB90N06S404ATMA2 Image IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 การสอบสวน
SI4378DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC การสอบสวน
IPB90N06S4L04ATMA2 Image IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 การสอบสวน
IPB90N06S404ATMA1 Image IPB90N06S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 การสอบสวน
RSF010P03TL Image RSF010P03TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3 การสอบสวน
IPB90N04S402ATMA1 Image IPB90N04S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2 การสอบสวน
TK20P04M1,RQ(S Image TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 การสอบสวน

ข่าว Latest