RFM04U6P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF RFM04U6P(TE12L,F)

RFM04U6P(TE12L,F)

รุ่นผลิตภัณฑ์:: RFM04U6P(TE12L,F)

ผู้ผลิต:: Toshiba Semiconductor

ลักษณะ:: MOSFET N-CH PW-MINI

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 18076 Pieces

แผ่นข้อมูล:: RFM04U6P(TE12L,F).pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ RFM04U6P(TE12L,F) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา RFM04U6P(TE12L,F) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ RFM04U6P(TE12L,F) กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	6V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	16V
ประเภททรานซิสเตอร์:	N-Channel
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	PW-MINI
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	4.3W
บรรจุภัณฑ์:	Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-243AA
ชื่ออื่น:	RFM04U6P(TE12LF)DKR
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	RFM04U6P(TE12L,F)
ได้รับ:	13.3dB
ความถี่:	470MHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet N-Channel 6V 500mA 470MHz 13.3dB 4.3W PW-MINI
ลักษณะ:	MOSFET N-CH PW-MINI
พิกัดกระแส:	2A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	500mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RFM04U6P(TE12L,F)

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
PD84008L-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 870MHZ	การสอบสวน
PTFA211801F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2	การสอบสวน
MRF5S21100HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S	การสอบสวน
BLF644PU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A	การสอบสวน
PTFA192001E1V4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC RF POWER TRANSISTOR	การสอบสวน
MRFG35002N6R5	NXP USA Inc.	FET RF 8V 3.55GHZ	การสอบสวน
MMRF1007HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S	การสอบสวน
BLL6H1214P2S-250Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest