ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > RFM01U7P(TE12L,F)
RFM01U7P(TE12L,F)
RFM01U7P(TE12L,F)
รุ่นผลิตภัณฑ์:
RFM01U7P(TE12L,F)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH PW-MINI
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17966 Pieces
แผ่นข้อมูล:
RFM01U7P(TE12L,F).pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ RFM01U7P(TE12L,F) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา RFM01U7P(TE12L,F) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RFM01U7P(TE12L,F) กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:7.2V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:20V
ประเภททรานซิสเตอร์:N-Channel
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PW-MINI
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:1.2W
บรรจุภัณฑ์:Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-243AA
ชื่ออื่น:RFM01U7P(TE12LF)CT
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:RFM01U7P(TE12L,F)
ได้รับ:10.8dB
ความถี่:520MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet N-Channel 7.2V 100mA 520MHz 10.8dB 1.2W PW-MINI
ลักษณะ:MOSFET N-CH PW-MINI
พิกัดกระแส:1A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RFM01U7P(TE12L,F)

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
PTFA192001EV4R250XTMA1 Image PTFA192001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 การสอบสวน
LET20030C Image LET20030C STMicroelectronics FET RF 80V 2GHZ M243 การสอบสวน
BF1208,115 Image BF1208,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 การสอบสวน
BF256C_J35Z Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 30V 18MA TO92 การสอบสวน
BLF6G13LS-250P,112 Image BLF6G13LS-250P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B การสอบสวน
ARF440 Image ARF440 Microsemi Corporation PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD การสอบสวน
BLF6H10LS-160,112 Image BLF6H10LS-160,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B การสอบสวน
BLF546,112 Image BLF546,112 Ampleon USA Inc. RF FET 2 NC 65V 13DB SOT268A การสอบสวน
ARF442 Image ARF442 Microsemi Corporation PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD การสอบสวน
MRF6P9220HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 การสอบสวน
BLF6G10LS-160RN:11 Image BLF6G10LS-160RN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B การสอบสวน
PD57006S Image PD57006S STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 การสอบสวน
PTFB082817FHV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS H-34288 การสอบสวน

ข่าว Latest