ซื้อ LET20030C กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
LET20030C
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LET20030C
- ผู้ผลิต:
- ST
- ลักษณะ:
- FET RF 80V 2GHZ M243
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 18694 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- LET20030C.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ LET20030C เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา LET20030C ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 80V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | M243 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 45W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | M243 |
| ชื่ออื่น: | 497-13531 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | LET20030C |
| ได้รับ: | 13.9dB |
| ความถี่: | 2GHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS 28V 400mA 2GHz 13.9dB 45W M243 |
| ลักษณะ: | FET RF 80V 2GHZ M243 |
| พิกัดกระแส: | 9A |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LET20030C
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | การสอบสวน |
 |
BLF10M6LS160U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
PTFA092213FLV5R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288-6 | การสอบสวน |
 |
ARF440 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | การสอบสวน |
 |
BLF6G13LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B | การสอบสวน |
 |
MMRF1024HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4 | การสอบสวน |
 |
BLF3G21-6,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | การสอบสวน |
 |
BLF884P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A | การสอบสวน |
 |
LET20045C | STMicroelectronics | RF MOSFET N CH 80V 12A M243 | การสอบสวน |
 |
BLC8G27LS-140AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | การสอบสวน |
 |
PTFB262406EV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | การสอบสวน |
 |
475-501N44A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE475 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers