ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > NTMSD3P102R2
NTMSD3P102R2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTMSD3P102R2
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19230 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NTMSD3P102R2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NTMSD3P102R2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NTMSD3P102R2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTMSD3P102R2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SOIC
ชุด:FETKY™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 3.05A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):730mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชื่ออื่น:NTMSD3P102R2OS
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NTMSD3P102R2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:750pF @ 16V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:25nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:Schottky Diode (Isolated)
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 20V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.34A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NTMSD3P102R2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
NTMSD3P102R2SG ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC การสอบสวน
NTMSD3P102R2G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC การสอบสวน
NTMSD2P102LR2 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC การสอบสวน
NTMSD2P102R2SG ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC การสอบสวน
BUK956R1-100E,127 Image BUK956R1-100E,127 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB การสอบสวน
NTMSD6N303R2SG ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC การสอบสวน
NTMSD6N303R2 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC การสอบสวน
NTMSD3P303R2G ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC การสอบสวน
NTMSD2P102LR2G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC การสอบสวน
NTMSD2P102R2 ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC การสอบสวน
NTMSD6N303R2G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC การสอบสวน

ข่าว Latest