NTMSD2P102LR2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTMSD2P102LR2
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17872 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NTMSD2P102LR2.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NTMSD2P102LR2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NTMSD2P102LR2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTMSD2P102LR2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.5V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SOIC
ชุด:FETKY™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):710mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชื่ออื่น:NTMSD2P102LR2OS
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NTMSD2P102LR2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:750pF @ 16V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:18nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:Schottky Diode (Isolated)
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.3A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ