ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NE3510M04-T2-A
ผู้ผลิต:
CEL (California Eastern Laboratories)
ลักษณะ:
FET RF 4V 4GHZ M04
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16220 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.NE3510M04-T2-A.pdf2.NE3510M04-T2-A.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE3510M04-T2-A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE3510M04-T2-A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NE3510M04-T2-A กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:2V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:4V
ประเภททรานซิสเตอร์:HFET
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:M04
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-343F
ชื่ออื่น:NE3510M04-T2-A-ND
NE3510M04-T2-ATR
NE3510M04T2A
เสียงรบกวนเต็มตัว:0.45dB
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NE3510M04-T2-A
ได้รับ:16dB
ความถี่:4GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet HFET 2V 15mA 4GHz 16dB M04
ลักษณะ:FET RF 4V 4GHZ M04
พิกัดกระแส:97mA
ปัจจุบัน - การทดสอบ:15mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE3510M04-T2-A

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 การสอบสวน
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 การสอบสวน
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX การสอบสวน
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 การสอบสวน
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL FET RF 4V 4GHZ M04 การสอบสวน
NE3516S02-T1C-A Image NE3516S02-T1C-A CEL IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX การสอบสวน
NE3515S02-T1C-A Image NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 การสอบสวน
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 การสอบสวน
NE3517S03-T1C-A CEL FET RF 4V 20GHZ S03 การสอบสวน
NE3513M04-T2B-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD การสอบสวน
NE3515S02-T1D-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 การสอบสวน
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD การสอบสวน
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02 การสอบสวน
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 การสอบสวน
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 การสอบสวน
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD การสอบสวน
GTVA220701FAV1R2XTMA1 Infineon Technologies GAN SIC การสอบสวน

ข่าว Latest