MWI225-17E9 - IXYS - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล MWI225-17E9

MWI225-17E9

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MWI225-17E9

ผู้ผลิต:: IXYS Corporation

ลักษณะ:: MOD IGBT SIXPACK E+

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 16022 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MWI225-17E9.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MWI225-17E9 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MWI225-17E9 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MWI225-17E9 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	1700V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.9V @ 15V, 225A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	E+
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	1400W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	E+
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 125°C (TJ)
กทช Thermistor:	Yes
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MWI225-17E9
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	22nF @ 25V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	NPT
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module NPT Three Phase 1700V 335A 1400W Chassis Mount E+
ลักษณะ:	MOD IGBT SIXPACK E+
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	600µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	335A
องค์ประกอบ:	Three Phase
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MWI225-17E9

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
IXXN110N65C4H1	IXYS	IGBT 650V 210A 750W SOT227B	การสอบสวน
IXA90IF650NA	IXYS	IGBT 650V 90A SOT-227B	การสอบสวน
MWI225-12E9	IXYS	MOD IGBT SIXPACK E+	การสอบสวน
APTGT150TL60G	Microsemi Corporation	IGBT 3-LEVEL INVERTER 600V SP6	การสอบสวน
FZ30R07W1E3B31ABOMA1	Infineon Technologies	IGBT MODULES	การสอบสวน
APTGV50H60BG	Microsemi Corporation	IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4	การสอบสวน
APTGT75SK120TG	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 110A 357W SP4	การสอบสวน
VS-GB300LH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK	การสอบสวน
VS-GA200SA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 200A 500W SOT-227	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest