ซื้อ MW6S010MR1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
MW6S010MR1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MW6S010MR1
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 12585 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- MW6S010MR1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MW6S010MR1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MW6S010MR1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 68V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-270-2 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 10W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-270-2 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MW6S010MR1 |
| ได้รับ: | 18dB |
| ความถี่: | 960MHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 |
| ลักษณะ: | FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MW6S010MR1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MW6S010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2 | การสอบสวน |
 |
AFT27S006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | การสอบสวน |
 |
BLF188XRGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C | การสอบสวน |
 |
MW6S010GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | การสอบสวน |
|
MRF5S9070NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | การสอบสวน |
 |
MRF6S24140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 | การสอบสวน |
 |
PTFA210601EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 | การสอบสวน |
 |
BF1215,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | การสอบสวน |
|
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | การสอบสวน |
 |
BLF8G24LS-100VJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | การสอบสวน |
 |
BLF6G20-230PRN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | การสอบสวน |
 |
PXAC260622SCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
MW6S004NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 | การสอบสวน |
|
PTAB182002TCV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers