ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > AFT27S006NT1
AFT27S006NT1
AFT27S006NT1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
AFT27S006NT1
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18379 Pieces
แผ่นข้อมูล:
AFT27S006NT1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ AFT27S006NT1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา AFT27S006NT1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ AFT27S006NT1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:65V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PLD-1.5W-2
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:28.8dBm
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PLD-1.5W-2
ชื่ออื่น:AFT27S006NT1DKR
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:AFT27S006NT1
ได้รับ:22dB
ความถี่:2.17GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 28V 70mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W-2
ลักษณะ:FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:70mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ AFT27S006NT1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
AFT27S010NT1 Image AFT27S010NT1 NXP USA Inc. FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W การสอบสวน
BSS83,215 Image BSS83,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B การสอบสวน
MRF5S9070NR1 Image MRF5S9070NR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 การสอบสวน
BLF8G24LS-100VJ Image BLF8G24LS-100VJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B การสอบสวน
MRF6S24140HR3 Image MRF6S24140HR3 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 การสอบสวน
BLF188XRGJ Image BLF188XRGJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C การสอบสวน
BLF6G20-230PRN,112 Image BLF6G20-230PRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A การสอบสวน
BF1215,115 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BLF7G21L-160P,112 Image BLF7G21L-160P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A การสอบสวน
PXAC260622SCV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS การสอบสวน
AFT21S140W02SR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 การสอบสวน

ข่าว Latest