MUBW35-06A6K - IXYS - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล MUBW35-06A6K

MUBW35-06A6K

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MUBW35-06A6K

ผู้ผลิต:: IXYS Corporation

ลักษณะ:: MODULE IGBT CBI E1

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 16439 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MUBW35-06A6K.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MUBW35-06A6K เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MUBW35-06A6K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MUBW35-06A6K กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.7V @ 15V, 35A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	E1
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	130W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	E1
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 125°C (TJ)
กทช Thermistor:	Yes
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MUBW35-06A6K
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	1.6nF @ 25V
อินพุต:	Three Phase Bridge Rectifier
ประเภท IGBT:	NPT
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 42A 130W Chassis Mount E1
ลักษณะ:	MODULE IGBT CBI E1
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	750µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	42A
องค์ประกอบ:	Three Phase Inverter with Brake
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MUBW35-06A6K

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
IXYN100N65A3	IXYS	IGBT XPT 650V 166A SOT-227B	การสอบสวน
MUBW35-12A8	IXYS	MODULE IGBT CBI E3	การสอบสวน
MUBW35-06A6	IXYS	MODULE IGBT CBI E1	การสอบสวน
MUBW30-12A6K	IXYS	MODULE IGBT CBI E1	การสอบสวน
VIO75-12P1	IXYS	MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2	การสอบสวน
MUBW35-12E7	IXYS	MODULE IGBT CBI E2	การสอบสวน
MUBW30-06A7	IXYS	MODULE IGBT CBI E2	การสอบสวน
MUBW35-12A7	IXYS	MODULE IGBT CBI E2	การสอบสวน
APTGT50SK170TG	Microsemi Corporation	IGBT 1700V 75A 312W SP4	การสอบสวน
MUBW30-12A6	IXYS	MODULE IGBT CBI E1	การสอบสวน
MUBW30-12E6K	IXYS	MODULE IGBT CBI E1	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest