ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > MRFE6VP8600HR5
MRFE6VP8600HR5
MRFE6VP8600HR5
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MRFE6VP8600HR5
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16776 Pieces
แผ่นข้อมูล:
MRFE6VP8600HR5.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MRFE6VP8600HR5 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MRFE6VP8600HR5 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MRFE6VP8600HR5 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:50V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:130V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:NI-1230
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:125W
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:NI-1230
ชื่ออื่น:MRFE6VP8600HR5DKR
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:MRFE6VP8600HR5
ได้รับ:19.3dB
ความถี่:860MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230
ลักษณะ:FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:1.4A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MRFE6VP8600HR5

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MRFE6VP8600HR6 Image MRFE6VP8600HR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H การสอบสวน
MRFE6VP8600HSR5 Image MRFE6VP8600HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S การสอบสวน
MRFE6VP5600HSR6 Image MRFE6VP5600HSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S การสอบสวน
MRFE6S9135HR5 Image MRFE6S9135HR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 940MHZ NI-880 การสอบสวน
MRFE6VP8600HSR6 Image MRFE6VP8600HSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S การสอบสวน
MRFE6S9045GNR1 Image MRFE6S9045GNR1 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 การสอบสวน
MRFE6VS25GNR1 Image MRFE6VS25GNR1 NXP USA Inc. FET RF 133V 512MHZ TO-270-2 การสอบสวน
MRFE6VP6300HSR3 Image MRFE6VP6300HSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 การสอบสวน
MRFE6VP61K25GNR6 Image MRFE6VP61K25GNR6 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 1250W 50V การสอบสวน
MRFE6VP6600GNR3 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 600W 50V การสอบสวน
MRFE6VP61K25HR6 Image MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 การสอบสวน

ข่าว Latest