ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > MMRF2010GNR1
MMRF2010GNR1
MMRF2010GNR1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MMRF2010GNR1
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
INTEGRATED PWR AMP 1030-1090MHZ
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13919 Pieces
แผ่นข้อมูล:
MMRF2010GNR1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MMRF2010GNR1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MMRF2010GNR1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MMRF2010GNR1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:50V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:100V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-270 WB-14 GULL
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:250W
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-270-14 Variant, Gull Wing
ชื่ออื่น:MMRF2010GNR1DKR
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:MMRF2010GNR1
ได้รับ:32.1dB
ความถี่:1.09GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 50V 80mA 1.09GHz 32.1dB 250W TO-270 WB-14 GULL
ลักษณะ:INTEGRATED PWR AMP 1030-1090MHZ
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:80mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MMRF2010GNR1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MMRF2010NR1 Image MMRF2010NR1 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 250W 50V การสอบสวน
MMRF2004NBR1 Image MMRF2004NBR1 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.7GHZ TO-272 การสอบสวน
MMRF2005NR1 Image MMRF2005NR1 NXP USA Inc. FET RF 65V 940MHZ การสอบสวน
ATF-541M4-BLK Image ATF-541M4-BLK Broadcom Limited IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM การสอบสวน
MMRF2007NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 940MHZ การสอบสวน
MRFE6VP8600HSR6 Image MRFE6VP8600HSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S การสอบสวน
PTFC262808SVV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS การสอบสวน
LET9045S Image LET9045S STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A การสอบสวน
MRFG35003NT1 Image MRFG35003NT1 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD การสอบสวน
CGH40025F Image CGH40025F Cree/Wolfspeed FET RF 84V 6GHZ 440166 การสอบสวน
BLF574XRS,112 Image BLF574XRS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B การสอบสวน
IXZR18N50B-00 Image IXZR18N50B-00 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 การสอบสวน
MRF6S19060NR1 Image MRF6S19060NR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 การสอบสวน
AFT09S200W02GNR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ PLD การสอบสวน

ข่าว Latest