ซื้อ IXZR18N50B-00 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IXZR18N50B-00
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXZR18N50B-00
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 17038 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IXZR18N50B-00.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXZR18N50B-00 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXZR18N50B-00 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | - |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 500V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | N-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PLUS247™-3 |
| ชุด: | Z-MOS™ |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 350W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXZR18N50B-00 |
| ได้รับ: | - |
| ความถี่: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet N-Channel 350W PLUS247™-3 |
| ลักษณะ: | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 |
| พิกัดกระแส: | 1mA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXZR18N50B-00
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
ATF-541M4-BLK | Broadcom Limited | IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM | การสอบสวน |
 |
IXZR18N50A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
VRF157FL | Microsemi Corporation | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 | การสอบสวน |
 |
BF1102R,135 | NXP USA Inc. | FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP | การสอบสวน |
|
IXZR16N60 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
BLF8G27LS-100U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | การสอบสวน |
|
IXZR18N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
MRF6V2010GNR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-270-2 | การสอบสวน |
 |
BLF8G24LS-150VU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | การสอบสวน |
 |
BLA0912-250R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | การสอบสวน |
 |
MRFE6VP8600HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | การสอบสวน |
 |
MRF6VP3091NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4 | การสอบสวน |
 |
MRF6S9125NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 | การสอบสวน |
 |
BLF2425M6L180P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers