IXTB62N50L
IXTB62N50L
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTB62N50L
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13097 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTB62N50L.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTB62N50L เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTB62N50L ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTB62N50L กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PLUS264™
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 31A, 20V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):800W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTB62N50L
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:11500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:550nC @ 20V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 500V 62A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):20V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):500V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:62A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ