ซื้อ 2N7637-GA กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | - |
---|---|
เทคโนโลยี: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-257 |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 170 mOhm @ 7A |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 80W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-257-3 |
ชื่ออื่น: | 1242-1148 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 2N7637-GA |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 720pF @ 35V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | - |
ประเภท FET: | - |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | 650V 7A (Tc) (165°C) 80W (Tc) Through Hole TO-257 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
ลักษณะ: | TRANS SJT 650V 7A TO-257 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7A (Tc) (165°C) |
Email: | [email protected] |