IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z24NSTRLPBF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IRF9Z24NSTRLPBF
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16996 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IRF9Z24NSTRLPBF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRF9Z24NSTRLPBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRF9Z24NSTRLPBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRF9Z24NSTRLPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D2PAK
ชุด:HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:175 mOhm @ 7.2A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3.8W (Ta), 45W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:IRF9Z24NSTRLPBF-ND
IRF9Z24NSTRLPBFTR
SP001554552
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRF9Z24NSTRLPBF
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:350pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:19nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 55V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):55V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:12A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ