IRF9Z34NSPBF
IRF9Z34NSPBF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IRF9Z34NSPBF
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18509 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IRF9Z34NSPBF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRF9Z34NSPBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRF9Z34NSPBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRF9Z34NSPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D2PAK
ชุด:HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 10A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3.8W (Ta), 68W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:*IRF9Z34NSPBF
SP001566500
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRF9Z34NSPBF
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:620pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:35nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 55V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):55V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:19A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ