ซื้อ IRF6156 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IRF6156
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IRF6156
- ลักษณะ:
- MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 18880 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IRF6156.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRF6156 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRF6156 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 6-FlipFet™ |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 2.5W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-FlipFet™ |
| ชื่ออื่น: | *IRF6156 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRF6156 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 950pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
| ประเภท FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| คุณสมบัติ FET: | Logic Level Gate |
| ขยายคำอธิบาย: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.5W Surface Mount 6-FlipFet™ |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
| ลักษณะ: | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 6.5A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IRF6156
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | การสอบสวน |
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | การสอบสวน |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | การสอบสวน |
|
IRF6150 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET | การสอบสวน |
 |
CSD87333Q3D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON | การสอบสวน |
 |
SSM6N42FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 | การสอบสวน |
 |
SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | การสอบสวน |
 |
NTJD3158CT2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 | การสอบสวน |
 |
DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | การสอบสวน |
 |
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog