ซื้อ EPC2101ENGRT กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
EPC2101ENGRT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- EPC2101ENGRT
- ผู้ผลิต:
- EPC
- ลักษณะ:
- TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 12858 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- EPC2101ENGRT.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ EPC2101ENGRT เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา EPC2101ENGRT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 2mA |
|---|---|
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Die |
| ชุด: | eGaN® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 11.5 mOhm @ 20A, 5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Die |
| ชื่ออื่น: | 917-EPC2101ENGRTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 22 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | EPC2101ENGRT |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 300pF @ 30V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 2.7nC @ 5V |
| ประเภท FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| คุณสมบัติ FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ขยายคำอธิบาย: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
| ลักษณะ: | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 9.5A, 38A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2101ENGRT
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE | การสอบสวน |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE | การสอบสวน |
|
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog