ซื้อ IPP530N15N3 G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 35µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO220-3-1 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 53 mOhm @ 18A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 68W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
ชื่ออื่น: | IPP530N15N3G IPP530N15N3GXKSA1 SP000521722 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPP530N15N3 G |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 887pF @ 75V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 150V 21A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 8V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 150V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 21A (Tc) |
Email: | [email protected] |