PSMN4R3-80PS,127
PSMN4R3-80PS,127
รุ่นผลิตภัณฑ์:
PSMN4R3-80PS,127
ผู้ผลิต:
Nexperia
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13424 Pieces
แผ่นข้อมูล:
PSMN4R3-80PS,127.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ PSMN4R3-80PS,127 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา PSMN4R3-80PS,127 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PSMN4R3-80PS,127 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220AB
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:4.3 mOhm @ 25A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):306W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:1727-5285
568-6713
568-6713-5
568-6713-5-ND
568-6713-ND
934065171127
PSMN4R380PS127
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:20 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:PSMN4R3-80PS,127
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:8161pF @ 40V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:111nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 80V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):80V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:120A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ