ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IPD50R280CE
IPD50R280CE
IPD50R280CE
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPD50R280CE
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19602 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.IPD50R280CE.pdf2.IPD50R280CE.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPD50R280CE เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPD50R280CE ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPD50R280CE กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.5V @ 350µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO252-3
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 4.2A, 13V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):92W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:IPD50R280CEBTMA1
IPD50R280CEINTR
SP000992082
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPD50R280CE
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:773pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:32.6nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:Super Junction
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 500V 13A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):500V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:13A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPD50R280CE

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPD50R2K0CEBTMA1 Infineon Technologies CONSUMER การสอบสวน
IPD50R280CEAUMA1 Image IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 การสอบสวน
IPD50R520CP Image IPD50R520CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 การสอบสวน
IPD50R280CEATMA1 Image IPD50R280CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 การสอบสวน
IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies CONSUMER การสอบสวน
IPD50R2K0CEAUMA1 Image IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 การสอบสวน
IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies CONSUMER การสอบสวน
IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY การสอบสวน
IPD50N04S4L08ATMA1 Image IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 การสอบสวน
IPD50R950CEATMA1 Image IPD50R950CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 การสอบสวน
IPD50R1K4CEAUMA1 Image IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 การสอบสวน
IPD50N03S4L06ATMA1 Image IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 การสอบสวน
IPD50R3K0CEBTMA1 Image IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 การสอบสวน

ข่าว Latest