IPD50N03S4L06ATMA1
IPD50N03S4L06ATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPD50N03S4L06ATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14264 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPD50N03S4L06ATMA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPD50N03S4L06ATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPD50N03S4L06ATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPD50N03S4L06ATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.2V @ 20µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO252-3-11
ชุด:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 50A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):56W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:IPD50N03S4L06ATMA1-ND
IPD50N03S4L06ATMA1TR
SP000415580
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:26 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPD50N03S4L06ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2330pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:31nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:50A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ